Samsung анонсирует 2 Гбитные 60-нм чипы флэш-памяти

Южнокорейский электронный гигант, компания Samsung, сообщает о новом достижении в области производства столь востребованных сегодня на мировом рынке чипов флэш-памяти. Инженеры и технологии компании разработали 60-нм технологический процесс производства 2 гигабитных OneNAND чипов флэш-памяти. Каждый чип позволяет записывать данные на скорости до 17 Мбайт в секунду, а чтение осуществляется на скорости до 108 Мбайт в секунду, при этом, объединив восемь чипов в единый массив возможно достижение скорости записи информации до значения 136 Мбайт в секунду.

На текущие момент именно 60-нм чипы NAND флэш-памяти обеспечивают максимальный уровень производительности, превосходя аналогичные 70-нм OneNAND изделия практически вдвое по скорости записи данных.

Тип памяти NOR флэш NAND флэш 70-нм OneNAND 60-нм OneNAND
скорость чтения 256 Мбайт/с 27 Мбайт/с 108 Мбайт/с 108 Мбайт/с
Скорость записи 0,5 Мбайт/с 13 Мбайт/с 9,3 Мбайт/с 17 Мбайт/с


Напомним, что чипы NAND флэш-памяти используются для хранения информации в портативных электронных устройствах, а очередным перспективным использованием соответствующей продукции являются гибридные и твердотельные накопители, которые только начинают появляться на мировом рынке.